Electrónica de Potencia/TRIAC/Parámetros Caracteristicos

Este capítulo explica cuales son los parámetros característicos que definen al triac y que se encuentran en una hoja de datos. No en todas las hojas de datos pueden ser hallados todos los parámetros, pero en general estos son los mas comunes.
Como ejemplo, son expuestos los valores del triac FKPF8N80 de Fairchild Semiconductor. Cuando el valor no sea indicado, se deberá entender que este parámetro no se publica.

V_DRM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo que soporta el dispositivo, que, en este caso, es de 800V. Este parámetro es medido con el terminal de puerta abierto.
V_DSM: Es el voltaje repetitivo de pico máximo permitido en condiciones de pulso que soporta el dispositivo.
I_T(RMS): Intensidad soportada en estado de conducción para una determinada temperatura. En este dispositivo es de 8A.
I_T(AV): Intensidad media máxima soportada en estado de conducción para una determinada temperatura.
I_TSM: Intensidad máxima de pico permitida por el dispositivo en condiciones de pulso. Para este triac es de 80A para 50Hz y 88A para 60Hz.
di/dt: Es la Tasa crítica de aumento de la corriente en estado de conducción que, para este dispositivo es de 50 A/μs.
I²t: Para proteger el dispositivo, el fusible que se coloca en serie con los terminales MT1 y MT2 ha de tener un valor menor que el indicado por este parámetro que está vinculado al I_TSM. En este caso, su valor es de 32 A²-s.
T_stg: Es la temperatura de almacenamiento del dispositivo la cual, generalmente, está comprendida entre -40 y 125°C.
I_GM: Corriente de pico para la puerta. En este dispositivo es de 2A.
P_G(AV): Disipación media de potencia de la puerta, que, en este caso, es de 0.5W.
V_RGM: Tensión Inversa de pico soportada por la puerta.
V_GM: Tensión de pico de la puerta con respecto a un terminal común. En este triac, el valor es de 10V.
P: Potencia disipada media.
I_GT: Corriente de puerta. Para este dispositivo es de 30mA.
V_GT: Tensión de puerta, que, para este dispositivo es de 1.5V.
V_GD: Es la tensión máxima que se puede aplicar entre puerta y uno de los terminales restantes sin causar un encendido del dispositivo accidental. Su valor es de 0.2V para este dispositivo.
I_H: Corriente de mantenimiento que es de 50mA para este triac.
I_L: Corriente de enganche, que es de 50mA para este triac.
V_TM: Caida de voltaje en el dispositivo mientras se encuentra en conducción. El valor en este triac es de 1.5V.
V_F: Voltaje a través de un diodo cuando está en conducción.
V_to: Tensión umbral.
Rd: Resistencia dinámica en estado de conducción.
I_DRM/I_RRM: Corriente que circula por el dispositivo cuando se encuentra en estado de corte o no conducción. El valor, en este dispositivo, es de 20μA.
t_gt: Tiempo de conmutación a encendido.
t_q: Tiempo de conmutacion a corte o apagado.
t_d: Tiempo de retraso.
t_ᵨ: Tiempo de subida.
V_BR: Tensión de ruptura.
⍺T: Coeficiente de temperatura.

Los fabricantes también suministran en las hojas de datos las siguientes gráficas:

Máximos valores de tensión y corriente para distintas temperaturas.
Máximos valores de corriente soportados por número de ciclos.
Características de puerta (tensión vs corriente)
Tensión en el terminal de puerta versus Tj o temperatura de unión.
Corriente en el terminal de puerta respecto a Tj.
Impedancia entre los terminales de conducción, dependiendo de la temperatura del dispositivo.
Diferentes curvas que representan valores de voltaje y corriente por ciclos máximos soportados, según la temperatura del dispositivo.

También en las hojas de datos se encuentra la descripción física del encapsulado del dispositivo, así como otras medidas normalizadas.